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1N8030-GA

1N8030-GA

僅供參考

型號 1N8030-GA
PNEDA編號 1N8030-GA
描述 DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,022
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N8030-GA資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N8030-GA
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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1N8030-GA規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管類型Silicon Carbide Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)650V
電流-平均整流(Io)750mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.39V @ 750mA
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢復時間(trr)0ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 650V
電容@ Vr,F76pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-257-3
供應商設備包裝TO-257
工作溫度-結點-55°C ~ 250°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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TO-220AC ins

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

25mA @ 400V

電容@ Vr,F

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1000V

電流-平均整流(Io)

150A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 150A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

20mA @ 1000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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100V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

920mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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