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1N8034-GA

1N8034-GA

僅供參考

型號 1N8034-GA
PNEDA編號 1N8034-GA
描述 DIODE SCHOTTKY 650V 9.4A TO257
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,884
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 9 - 一月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N8034-GA資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N8034-GA
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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1N8034-GA規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管類型Silicon Carbide Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)650V
電流-平均整流(Io)9.4A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.34V @ 10A
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢復時間(trr)0ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 650V
電容@ Vr,F1107pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-257-3
供應商設備包裝TO-257
工作溫度-結點-55°C ~ 250°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 40V

電容@ Vr,F

180pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-216AA

供應商設備包裝

Powermite

工作溫度-結點

-55°C ~ 125°C

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1200V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.65V @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

115ns

當前-反向泄漏@ Vr

20µA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AB, SMC

供應商設備包裝

SMC

工作溫度-結點

125°C (Max)

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制造商

Diodes Incorporated

系列

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)

15mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 15mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

1ns

當前-反向泄漏@ Vr

200nA @ 50V

電容@ Vr,F

2pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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工作溫度-結點

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

4000V

電流-平均整流(Io)

4870A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.27V @ 4000A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100mA @ 4000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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