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1SS309(TE85L,F)

1SS309(TE85L,F)

僅供參考

型號 1SS309(TE85L,F)
PNEDA編號 1SS309-TE85L-F
描述 DIODE ARRAY GP 80V 100MA SMV
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價
1 ---------- $23.2538
100 ---------- $22.1637
250 ---------- $21.0737
500 ---------- $19.9837
750 ---------- $19.0754
1,000 ---------- $18.1670
庫存 123,152
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1SS309(TE85L資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1SS309(TE85L,F)
類別半導體二極管與整流器整流器-數組

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1SS309(TE85L規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
二極管配置4 Common Cathode
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)80V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)100mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 100mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)4ns
當前-反向泄漏@ Vr500nA @ 80V
工作溫度-結點125°C (Max)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-74A, SOT-753
供應商設備包裝SMV

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

640mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2mA @ 40V

工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

45ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 300V

工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

55A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 165A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

工作溫度-結點

-40°C ~ 125°C

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

200mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 150mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

6ns

當前-反向泄漏@ Vr

2.5µA @ 70V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 100V

工作溫度-結點

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