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1SS387,L3F

1SS387,L3F

僅供參考

型號 1SS387,L3F
PNEDA編號 1SS387-L3F
描述 DIODE GEN PURP 80V 100MA ESC
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 69,486
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1SS387資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1SS387,L3F
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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1SS387規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)80V
電流-平均整流(Io)100mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 100mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)4ns
當前-反向泄漏@ Vr500nA @ 80V
電容@ Vr,F3pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-79, SOD-523
供應商設備包裝ESC
工作溫度-結點125°C (Max)

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

7pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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SOD-128

工作溫度-結點

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二極管類型

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1000V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1200V

電流-平均整流(Io)

80A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.35V @ 80A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

480ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 45V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 150mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

6ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 100V

電容@ Vr,F

2pF @ 0V, 1MHz

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包裝/箱

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