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20ETF02STRL

20ETF02STRL

僅供參考

型號 20ETF02STRL
PNEDA編號 20ETF02STRL
描述 DIODE GEN PURP 200V 20A D2PAK
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 5,310
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 18 - 十一月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

20ETF02STRL資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號20ETF02STRL
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
20ETF02STRL, 20ETF02STRL數據表 (總頁數: 7, 大小: 296.88 KB)
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20ETF02STRL規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)20A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 20A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)160ns
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝D2PAK
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 40V

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

250ns

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

12pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

340mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 40V

電容@ Vr,F

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Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 60V

電容@ Vr,F

110pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

4A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

435mV @ 4A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

15mA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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包裝/箱

DO-221AC, SMA Flat Leads

供應商設備包裝

SMA-FL

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

20V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

450mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

400µA @ 20V

電容@ Vr,F

80pF @ 4V, 1MHz

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