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20ETF08STRL

20ETF08STRL

僅供參考

型號 20ETF08STRL
PNEDA編號 20ETF08STRL
描述 DIODE GEN PURP 800V 20A D2PAK
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 5,778
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

20ETF08STRL資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號20ETF08STRL
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
20ETF08STRL, 20ETF08STRL數據表 (總頁數: 7, 大小: 180.46 KB)
PDF20ETF10STRR數據表 封面
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20ETF08STRL規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)800V
電流-平均整流(Io)20A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.31V @ 20A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)400ns
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 800V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝D2PAK
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 4.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-15

工作溫度-結點

150°C (Max)

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

4A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 4A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

30pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

2V

電流-平均整流(Io)

50mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

320mV @ 1mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 2V

電容@ Vr,F

0.15pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

10pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.8µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

9pF @ 4V, 1MHz

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