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24AA01T-I/MNY

24AA01T-I/MNY

僅供參考

型號 24AA01T-I/MNY
PNEDA編號 24AA01T-I-MNY
描述 IC EEPROM 1K I2C 400KHZ 8TDFN
制造商 Microchip Technology
單價 請求報價
庫存 2,304
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

24AA01T-I/MNY資源

品牌 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號24AA01T-I/MNY
類別半導體內存IC內存

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24AA01T-I/MNY規格

制造商Microchip Technology
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小1Kb (128 x 8)
內存接口I²C
時鐘頻率400kHz
寫周期-字,頁5ms
訪問時間3500ns
電壓-供電1.7V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-WFDFN Exposed Pad
供應商設備包裝8-TDFN (2x3)

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

110ns

電壓-供電

1.65V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

供應商設備包裝

56-TSOP

AT27C010L-55JC

Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EPROM

技術

EPROM - OTP

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

55ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-LCC (J-Lead)

供應商設備包裝

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR3L

內存大小

4Gb (256M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

933MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.283V ~ 1.45V

工作溫度

-40°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

96-TFBGA

供應商設備包裝

96-FBGA (8x14)

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

128Mb (16M x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

300µs, 5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-WDFN Exposed Pad

供應商設備包裝

8-WSON (8x6)

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Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

20MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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