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24AA08HT-I/MNY

24AA08HT-I/MNY

僅供參考

型號 24AA08HT-I/MNY
PNEDA編號 24AA08HT-I-MNY
描述 IC EEPROM 8K I2C 400KHZ 8TDFN
制造商 Microchip Technology
單價 請求報價
庫存 4,446
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

24AA08HT-I/MNY資源

品牌 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號24AA08HT-I/MNY
類別半導體內存IC內存

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24AA08HT-I/MNY規格

制造商Microchip Technology
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小8Kb (256 x 8 x 4)
內存接口I²C
時鐘頻率400kHz
寫周期-字,頁5ms
訪問時間900ns
電壓-供電1.7V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-WFDFN Exposed Pad
供應商設備包裝8-TDFN (2x3)

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內存類型

Volatile

內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

117MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

7.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

512Mb (32M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

110ns

電壓-供電

1.65V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, DDR II+

內存大小

18Mb (512K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

256Mb (8M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

6ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.1ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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