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25AA256-E/SM

25AA256-E/SM

僅供參考

型號 25AA256-E/SM
PNEDA編號 25AA256-E-SM
描述 IC EEPROM 256K SPI 10MHZ 8SOIJ
制造商 Microchip Technology
單價 請求報價
庫存 3,942
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

25AA256-E/SM資源

品牌 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號25AA256-E/SM
類別半導體內存IC內存

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25AA256-E/SM規格

制造商Microchip Technology
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小256Kb (32K x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率10MHz
寫周期-字,頁5ms
訪問時間-
電壓-供電1.8V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 125°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
供應商設備包裝8-SOIJ

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

2Mb (256K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

70MHz

寫周期-字,頁

8µs, 5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-UFDFN Exposed Pad

供應商設備包裝

8-UDFN (2x3)

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM

內存大小

2Kb (256 x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

100kHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

8-DIP

IS62WV10248DBLL-55TLI-TR

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

8Mb (1M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

2.4V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

44-TSOP II

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Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

512Kb (64K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ms

訪問時間

120ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

供應商設備包裝

32-TSOP

23A1024-E/P

Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

16MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 2.2V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

8-PDIP

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