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2EDN8523FXTMA1

2EDN8523FXTMA1

僅供參考

型號 2EDN8523FXTMA1
PNEDA編號 2EDN8523FXTMA1
描述 IC GATE DRVR 8DSO
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 22,440
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2EDN8523FXTMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2EDN8523FXTMA1
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器

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2EDN8523FXTMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列EiceDriver™
驅動配置Low-Side
頻道類型Independent
驅動程序數量2
門類型N-Channel MOSFET
電壓-供電4.5V ~ 20V
邏輯電壓-VIL,VIH1.2V, 1.9V
電流-峰值輸出(源極,接收器)5A, 5A
輸入類型Inverting
高壓側-最大(自舉)-
上升/下降時間(典型值)5.3ns, 4.5ns
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝PG-DSO-8

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電壓-供電

4.5V ~ 16V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 3V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.2A, 1.2A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

35ns, 25ns

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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包裝/箱

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頻道類型

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驅動程序數量

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門類型

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電壓-供電

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邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.6A, 1.6A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

118V

上升/下降時間(典型值)

600ns, 600ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

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驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

10V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 3.5V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

500mA, 500mA

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

30ns, 20ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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驅動配置

Low-Side

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 18V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.4V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

2A, 2A

輸入類型

Inverting, Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

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頻道類型

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驅動程序數量

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門類型

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電壓-供電

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邏輯電壓-VIL,VIH

0.5V, 2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

2A, 2A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

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上升/下降時間(典型值)

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包裝/箱

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