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2N1016B

2N1016B

僅供參考

型號 2N1016B
PNEDA編號 2N1016B
描述 NPN TRANSISTOR
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,294
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N1016B資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N1016B
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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2N1016B規格

制造商Microsemi Corporation
系列*
晶體管類型-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

800mV @ 400mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

200nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 500mA, 5V

功率-最大

1W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Micro Commercial Co

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

125 @ 2mA, 5V

功率-最大

310mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

STMicroelectronics

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

12A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

120V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 800mA, 8A

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

85W

頻率-過渡

-

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

TO-220AB

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制造商

ON Semiconductor

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

135 @ 100mA, 2V

功率-最大

750mW

頻率-過渡

120MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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系列

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晶體管類型

PNP - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

15A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

4V @ 150mA, 15A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

750 @ 6A, 3V

功率-最大

3.5W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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