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2N1016C

2N1016C

僅供參考

型號 2N1016C
PNEDA編號 2N1016C
描述 NPN TRANSISTOR
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 4,086
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N1016C資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N1016C
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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2N1016C規格

制造商Microsemi Corporation
系列*
晶體管類型-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

6A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

275mV @ 300mA, 6A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

260 @ 2A, 2V

功率-最大

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頻率-過渡

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工作溫度

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 30mA, 300mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

170 @ 150mA, 10V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

500 @ 500mA, 4V

功率-最大

1W

頻率-過渡

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當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 6mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

750 @ 1.5A, 3V

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