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2N1613A

2N1613A

僅供參考

型號 2N1613A
PNEDA編號 2N1613A
描述 NPN TRANSISTOR
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 7,128
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 22 - 六月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N1613A資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N1613A
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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2N1613A規格

制造商Microsemi Corporation
系列*
晶體管類型-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

550mV @ 1.25mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

20nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

180 @ 2mA, 5V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

125MHz

工作溫度

-

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

390mV @ 300mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 1A, 2V

功率-最大

1.6W

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 3A, 4V

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Nexperia USA Inc.

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當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

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20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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100nA (ICBO)

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