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2N2102

2N2102

僅供參考

型號 2N2102
PNEDA編號 2N2102_8B
描述 TRANS NPN 65V 1A TO-39
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 5,328
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N2102資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N2102
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2N2102, 2N2102數據表 (總頁數: 4, 大小: 49.29 KB)
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2N2102規格

制造商STMicroelectronics
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)65V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 15mA, 150mA
當前-集電極截止(最大值)2nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce40 @ 150mA, 10V
功率-最大1W
頻率-過渡-
工作溫度175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝TO-39

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

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60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

300mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 30mA, 300mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 50mA, 1V

功率-最大

400mW

頻率-過渡

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 500mA, 2V

功率-最大

10W

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 250mA, 10V

功率-最大

1W

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

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