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2N3439

2N3439

僅供參考

型號 2N3439
PNEDA編號 2N3439
描述 THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 6,516
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N3439資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N3439
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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2N3439規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)350V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 4mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)20µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 2mA, 10V
功率-最大1W
頻率-過渡15MHz
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝TO-39

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30A

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60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 6A, 30A

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 15A, 2V

功率-最大

5W

頻率-過渡

-

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

1W

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當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

120mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 100mA, 2V

功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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