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2N3468

2N3468

僅供參考

型號 2N3468
PNEDA編號 2N3468
描述 NPN POWER SILICON TRANSISTORS
制造商 Microsemi
單價
1 ---------- $2,012.5499
50 ---------- $1,918.2116
100 ---------- $1,823.8733
200 ---------- $1,729.5351
400 ---------- $1,650.9198
500 ---------- $1,572.3046
庫存 251
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 14 - 四月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N3468資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N3468
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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2N3468規格

制造商Microsemi Corporation
系列*
晶體管類型-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

800mV @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 1A, 2V

功率-最大

150W

頻率-過渡

4MHz

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 500mA, 2V

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當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 3mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

3000 @ 3A, 2V

功率-最大

1.5W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

800V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 200µA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 400mA, 3V

功率-最大

100W

頻率-過渡

5MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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Through Hole

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10nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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