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2N3771G

2N3771G

僅供參考

型號 2N3771G
PNEDA編號 2N3771G
描述 TRANS NPN 40V 30A TO-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 13,056
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 24 - 三月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N3771G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N3771G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2N3771G, 2N3771G數據表 (總頁數: 5, 大小: 220.18 KB)
PDF2N3771G數據表 封面
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2N3771G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)30A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)40V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic4V @ 6A, 30A
當前-集電極截止(最大值)10mA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce15 @ 15A, 4V
功率-最大150W
頻率-過渡200kHz
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-204AA, TO-3
供應商設備包裝TO-204 (TO-3)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

5V @ 15mA, 150mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 150mA, 10V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

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工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 300mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 500mA, 2V

功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 2V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

15A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

4V @ 150mA, 15A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

750 @ 6A, 3V

功率-最大

3.5W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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制造商

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

180 @ 2mA, 5V

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