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2N3772G

2N3772G

僅供參考

型號 2N3772G
PNEDA編號 2N3772G
描述 TRANS NPN 60V 20A TO3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,120
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 5 - 三月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N3772G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N3772G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2N3772G, 2N3772G數據表 (總頁數: 5, 大小: 220.18 KB)
PDF2N3771G數據表 封面
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2N3772G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)20A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic4V @ 4A, 20A
當前-集電極截止(最大值)10mA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce15 @ 10A, 4V
功率-最大150W
頻率-過渡200kHz
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-204AA, TO-3
供應商設備包裝TO-204 (TO-3)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 150mA, 10V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

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工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

3.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 100mA, 3.5A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2A, 2V

功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

3.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 700mA, 3.5A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 1A, 5V

功率-最大

5W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 20mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 500mA, 3V

功率-最大

1W

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

-

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