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2N3809

2N3809

僅供參考

型號 2N3809
PNEDA編號 2N3809
描述 TRANS 2PNP 50MA 60V TO78-6
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 7,128
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N3809資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N3809
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
2N3809, 2N3809數據表 (總頁數: 5, 大小: 334 KB)
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2N3809規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
晶體管類型2 PNP (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce300 @ 1mA, 5V
功率-最大600mW
頻率-過渡100MHz
工作溫度-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-78-6 Metal Can
供應商設備包裝TO-78-6

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 6mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

2000 @ 3A, 4V

功率-最大

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安裝類型

Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 2mA, 10V

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