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2N3866

2N3866

僅供參考

型號 2N3866
PNEDA編號 2N3866
描述 TRANS NPN 30V 0.4A TO-39
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 5,778
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 7 - 十一月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N3866資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N3866
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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2N3866規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)400mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1V @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)20µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce15 @ 50mA, 5V
功率-最大1W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝TO-39 (TO-205AD)

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NPN

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1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 500mA, 1V

功率-最大

3W

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

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安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.8V @ 1A, 5A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

45 @ 2A, 1V

功率-最大

1.4W

頻率-過渡

65MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

35V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

170 @ 500mA, 10V

功率-最大

5W

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

170mV @ 400mA, 8A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

250 @ 4A, 2V

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