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2N4104

2N4104

僅供參考

型號 2N4104
PNEDA編號 2N4104
描述 TRANSISTOR-SMALL SI SMD
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 7,326
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 31 - 四月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N4104資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N4104
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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2N4104規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce1400 @ 1mA, 5V
功率-最大30mW
頻率-過渡540MHz
工作溫度-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱Die
供應商設備包裝Die

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 5V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 100mA, 2V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.7V @ 600mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 100mA, 1V

功率-最大

1.5W

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-225AA, TO-126-3

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

450V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2V @ 1A, 5A

當前-集電極截止(最大值)

200µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

5 @ 5A, 5V

功率-最大

85W

頻率-過渡

-

工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

625mW

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