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2N4250A

2N4250A

僅供參考

型號 2N4250A
PNEDA編號 2N4250A
描述 TRANSISTOR PNP TO-106
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 6,948
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 30 - 四月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N4250A資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N4250A
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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2N4250A規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)10nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce250 @ 100µA, 5V
功率-最大200mW
頻率-過渡-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-106-3 Domed
供應商設備包裝TO-106

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PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

420 @ 2mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 400mA, 3V

功率-最大

80W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 50mA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

60MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

7A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

70V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3.5V @ 3A, 7A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 2A, 4V

功率-最大

40W

頻率-過渡

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

350mV @ 3mA, 10mA

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