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2N4264

2N4264

僅供參考

型號 2N4264
PNEDA編號 2N4264
描述 THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 7,578
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N4264資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N4264
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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2N4264規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)200mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)15V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic350mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce40 @ 30mA, 1V
功率-最大625mW
頻率-過渡350MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝TO-92

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100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

4V @ 80mA, 8A

當前-集電極截止(最大值)

20µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 3A, 4V

功率-最大

75W

頻率-過渡

-

工作溫度

-60°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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500mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

5µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 1A, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

-

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-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2V @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

5mA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 1A, 10V

功率-最大

30W

頻率-過渡

20MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

TO-220-3

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當前-集電極(Ic)(最大值)

6A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

350mV @ 300mA, 6A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

190 @ 2A, 2V

功率-最大

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頻率-過渡

80MHz

工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

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