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2N4339-E3

2N4339-E3

僅供參考

型號 2N4339-E3
PNEDA編號 2N4339-E3
描述 MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 5,814
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N4339-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N4339-E3
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
2N4339-E3, 2N4339-E3數據表 (總頁數: 7, 大小: 75.44 KB)
PDF2N4339-E3數據表 封面
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2N4339-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)50V
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)500µA @ 15V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID600mV @ 100nA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7pF @ 15V
電阻-RDS(On)-
功率-最大300mW
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝TO-206AA (TO-18)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

1mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

500mV @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7pF @ 15V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

625mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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5mA @ 20V

電流消耗(Id)-最大

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電壓-截止(VGS關閉)@ ID

5V @ 1µA

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30V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

60mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

6V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

25pF @ 15V

電阻-RDS(On)

100 Ohms

功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

5mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

1V @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

50 Ohms

功率-最大

350mW

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2mA @ 15V

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