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2N4416-E3

2N4416-E3

僅供參考

型號 2N4416-E3
PNEDA編號 2N4416-E3
描述 JFET N-CH 30V 0.3W TO-206AF
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 2,880
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 20 - 四月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N4416-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N4416-E3
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
2N4416-E3, 2N4416-E3數據表 (總頁數: 7, 大小: 81.15 KB)
PDFSST4416-T1-E3數據表 封面
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2N4416-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)30V
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)5mA @ 15V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID3V @ 1nA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4pF @ 15V
電阻-RDS(On)-
功率-最大300mW
工作溫度-50°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
供應商設備包裝TO-206AF (TO-72)

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Vishay Siliconix

系列

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FET類型

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

-

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

供應商設備包裝

TO-206AA (TO-18)

U1898

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系列

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FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

40V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

15mA @ 20V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

2V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

16pF @ 20V

電阻-RDS(On)

50 Ohms

功率-最大

625mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

-

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-

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FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

1mA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

30mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

5V @ 10µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6.5pF @ 10V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

125mW

工作溫度

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安裝類型

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

30V

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

50mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

4V @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14pF @ 15V

電阻-RDS(On)

30 Ohms

功率-最大

225mW

工作溫度

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