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2N5015S

2N5015S

僅供參考

型號 2N5015S
PNEDA編號 2N5015S
描述 TRANSISTOR NPN TO-39
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,490
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N5015S資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N5015S
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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2N5015S規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/727
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)200mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1000V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.8V @ 5mA, 20mA
當前-集電極截止(最大值)10nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 20mA, 10V
功率-最大1W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝TO-39 (TO-205AD)

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制造商

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系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

5.2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

340mV @ 260mA, 5.2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

95 @ 2A, 2V

功率-最大

2.1W

頻率-過渡

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工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

185V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 3mA, 30mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

185 @ 10mA, 5V

功率-最大

200mW

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工作溫度

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

100MHz

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

6A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 600mA, 6A

當前-集電極截止(最大值)

700µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 3A, 4V

功率-最大

2W

頻率-過渡

3MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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供應商設備包裝

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 2mA, 10V

功率-最大

200mW

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