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2N5052

2N5052

僅供參考

型號 2N5052
PNEDA編號 2N5052
描述 NPN SILICON TRANSISTOR
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 4,896
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 29 - 十二月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N5052資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N5052
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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2N5052規格

制造商Microsemi Corporation
系列*
晶體管類型-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 15A, 4V

功率-最大

125W

頻率-過渡

3MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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供應商設備包裝

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 1V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 15mA, 150mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 2V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 150mA, 10V

功率-最大

500mW

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

300mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 30mA, 300mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 30mA, 400mV

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