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2N5114JAN02

2N5114JAN02

僅供參考

型號 2N5114JAN02
PNEDA編號 2N5114JAN02
描述 JFET P-CH 30V TO-206AA
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 7,506
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N5114JAN02資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N5114JAN02
類別半導體晶體管晶體管-JFET

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2N5114JAN02規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型-
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)-
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)-
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
電阻-RDS(On)-
功率-最大-
工作溫度-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝TO-206AA (TO-18)

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

50mA @ 20V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

4V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14pF @ 20V

電阻-RDS(On)

30 Ohms

功率-最大

1.8W

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

25mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

4V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

27pF @ 15V

電阻-RDS(On)

175 Ohms

功率-最大

500mW

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

600µA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

20mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

1.5V @ 10µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

12pF @ 10V

電阻-RDS(On)

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功率-最大

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

4mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

2V @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7pF @ 15V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

625mW

工作溫度

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安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

5mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

500mV @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10pF @ 15V (VGS)

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