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2N5116UB

2N5116UB

僅供參考

型號 2N5116UB
PNEDA編號 2N5116UB
描述 P CHANNEL JFET
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 7,344
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N5116UB資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N5116UB
類別半導體晶體管晶體管-JFET

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2N5116UB規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500
FET類型P-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)30V
漏極至源極電壓(Vdss)30V
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)25mA @ 15V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID4V @ 1nA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds27pF @ 15V
電阻-RDS(On)175 Ohms
功率-最大500mW
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱3-SMD, No Lead
供應商設備包裝UB

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

1mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

300mV @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5pF @ 15V

電阻-RDS(On)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

5mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

500mV @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14pF @ 15V

電阻-RDS(On)

100 Ohms

功率-最大

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工作溫度

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Surface Mount

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

25mA @ 20V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

2V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14pF @ 20V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

250mW

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

25mA @ 20V

電流消耗(Id)-最大

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電壓-截止(VGS關閉)@ ID

2V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14pF @ 20V

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20V

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