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2N5401YBU

2N5401YBU

僅供參考

型號 2N5401YBU
PNEDA編號 2N5401YBU
描述 TRANS PNP 150V 0.6A TO-92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 90,600
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 22 - 四月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N5401YBU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N5401YBU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2N5401YBU, 2N5401YBU數據表 (總頁數: 7, 大小: 262.08 KB)
PDF2N5401YTA數據表 封面
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2N5401YBU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)600mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)150V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 10mA, 5V
功率-最大625mW
頻率-過渡400MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝TO-92-3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 5V

功率-最大

1.35W

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 150mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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制造商

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系列

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

10A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 250mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 1A, 2V

功率-最大

2W

頻率-過渡

130MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

460mV @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 2A, 1V

功率-最大

3W

頻率-過渡

120MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 80mA, 8A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

750 @ 4A, 3V

功率-最大

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