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2N6111

2N6111

僅供參考

型號 2N6111
PNEDA編號 2N6111_6B
描述 TRANS PNP 30V 7A TO220AB
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,506
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N6111資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N6111
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2N6111, 2N6111數據表 (總頁數: 6, 大小: 246.38 KB)
PDF2N6288數據表 封面
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2N6111規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)7A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic3.5V @ 3A, 7A
當前-集電極截止(最大值)1mA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 3A, 4V
功率-最大40W
頻率-過渡10MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220AB

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300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 2mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 30mA, 10V

功率-最大

1W

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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500mA

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50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 30mA, 300mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

170 @ 150mA, 10V

功率-最大

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45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

20nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 1V

功率-最大

330mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

240mV @ 250mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

250 @ 500mA, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

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工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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