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2N6660JTXL02

2N6660JTXL02

僅供參考

型號 2N6660JTXL02
PNEDA編號 2N6660JTXL02
描述 MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 3,420
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N6660JTXL02資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N6660JTXL02
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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2N6660JTXL02規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)990mA (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds50pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)725mW (Ta), 6.25W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-205AD (TO-39)
包裝/箱TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

120nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

563pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.08W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.6A (Ta), 51A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

7V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2200pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 150W (Tc)

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Ta), 29A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

54mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1770pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

135W (Tc)

工作溫度

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-

功耗(最大值)

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