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2N7002-7-G

2N7002-7-G

僅供參考

型號 2N7002-7-G
PNEDA編號 2N7002-7-G
描述 MOSFET N-CH 60V SOT23-3
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 5,814
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N7002-7-G資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N7002-7-G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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2N7002-7-G規格

制造商Diodes Incorporated
系列*
FET類型-
技術-
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-
安裝類型-
供應商設備包裝-
包裝/箱-

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

260mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

87nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2250pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

450mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

51.8nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

770pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

80W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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220mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.5Ohm @ 220mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

27pF @ 25V

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

520mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

52nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1423pF @ 25V

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Vgs(th)(最大)@ ID

850mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

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2.5W (Ta)

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