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2N7002E-7-F

2N7002E-7-F

僅供參考

型號 2N7002E-7-F
PNEDA編號 2N7002E-7-F
描述 MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23-3
制造商 Diodes Incorporated
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庫存 687,060
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N7002E-7-F資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N7002E-7-F
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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2N7002E-7-F規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)250mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.22nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds50pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)370mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-23-3
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.9mOhm @ 32A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

152nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6550pF @ 10V

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

210mOhm @ 1.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

950mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

365pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

335mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

Diodes Incorporated

系列

-

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

17.5A (Ta), 40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.5mOhm @ 15A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

200nC @ 10V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7500pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.3W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.7Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

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