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2N7053_D75Z

2N7053_D75Z

僅供參考

型號 2N7053_D75Z
PNEDA編號 2N7053_D75Z
描述 TRANS NPN DARL 100V 1.5A TO-226
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,010
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N7053_D75Z資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N7053_D75Z
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
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2N7053_D75Z規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)1.5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.5V @ 100µA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)200nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce1000 @ 1A, 5V
功率-最大1W
頻率-過渡200MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝TO-226-3

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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15V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

330mV @ 200mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 10mA, 1V

功率-最大

1W

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

-55°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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100mA

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300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 2mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 30mA, 10V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 2.5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 2mA, 5V

功率-最大

1W

頻率-過渡

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工作溫度

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