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2N915

2N915

僅供參考

型號 2N915
PNEDA編號 2N915
描述 THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 8,370
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N915資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N915
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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2N915規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce50 @ 10mA, 10V
功率-最大-
頻率-過渡250MHz
工作溫度-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝TO-18

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45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 1A, 6A

當前-集電極截止(最大值)

700µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 3A, 4V

功率-最大

2W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

ON Semiconductor

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當前-集電極(Ic)(最大值)

800mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 1V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

270mV @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

175 @ 2A, 2V

功率-最大

1.6W

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

140V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

260mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 2V

功率-最大

1.25W

頻率-過渡

75MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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10A

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60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 2A, 10A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 3A, 2V

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