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2N918

2N918

僅供參考

型號 2N918
PNEDA編號 2N918_105
描述 RF TRANS NPN 15V 600MHZ TO72
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 15,438
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N918資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N918
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
2N918, 2N918數據表 (總頁數: 3, 大小: 621.94 KB)
PDF2N918數據表 封面
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2N918規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)15V
頻率-過渡600MHz
噪聲系數(dB Typ @ f)6dB @ 60kHz
增益-
功率-最大200mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce20 @ 3mA, 1V
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
供應商設備包裝TO-72

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頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

增益

8.5dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 10mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供應商設備包裝

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制造商

Infineon Technologies

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

4.5V

頻率-過渡

40GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

增益

12.5dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 30mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

150°C (TJ)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.2dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz

增益

-

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

18mA

工作溫度

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制造商

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

增益

17.5dB ~ 21dB

功率-最大

175mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 70mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-253-4, TO-253AA

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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