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2PD602AR,115

2PD602AR,115

僅供參考

型號 2PD602AR,115
PNEDA編號 2PD602AR-115
描述 TRANS NPN 50V 0.5A SC-59
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 7,650
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2PD602AR資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2PD602AR,115
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2PD602AR, 2PD602AR數據表 (總頁數: 7, 大小: 281.1 KB)
PDF2PD602AR數據表 封面
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2PD602AR規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic600mV @ 30mA, 300mA
當前-集電極截止(最大值)10nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 150mA, 10V
功率-最大250mW
頻率-過渡160MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SMT3; MPAK

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60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 400mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

100mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 4A, 4V

功率-最大

75W

頻率-過渡

3MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

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晶體管類型

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60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 3A, 4V

功率-最大

80W

頻率-過渡

3MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 6V

功率-最大

100mW

頻率-過渡

80MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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Surface Mount

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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55V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 600mA, 6A

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

250 @ 10mA, 2V

功率-最大

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