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2SA1020-Y,F(M

2SA1020-Y,F(M

僅供參考

型號 2SA1020-Y,F(M
PNEDA編號 2SA1020-Y-F-M_9B
描述 TRANS PNP 2A 50V TO226-3
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 6,336
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 28 - 四月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SA1020-Y資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SA1020-Y,F(M
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2SA1020-Y, 2SA1020-Y數據表 (總頁數: 5, 大小: 168.44 KB)
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2SA1020-Y規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 50mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce70 @ 500mA, 2V
功率-最大900mW
頻率-過渡100MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 Long Body
供應商設備包裝TO-92MOD

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

80mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 50mA, 2V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

250MHz

工作溫度

125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

465V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 250mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

13 @ 500mA, 2V

功率-最大

1.1W

頻率-過渡

4MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

170mV @ 400mA, 8A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

250 @ 4A, 2V

功率-最大

2.6W

頻率-過渡

95MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-261-4, TO-261AA

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制造商

Diodes Incorporated

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 200mA, 2.5A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 2A, 2V

功率-最大

2W

頻率-過渡

180MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1.2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

160V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 200mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 300mA, 5V

功率-最大

1.2W

頻率-過渡

155MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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