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2SA1761,T6F(J

2SA1761,T6F(J

僅供參考

型號 2SA1761,T6F(J
PNEDA編號 2SA1761-T6F-J
描述 TRANS PNP 3A 50V TO226-3
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 3,726
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SA1761資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SA1761,T6F(J
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2SA1761, 2SA1761數據表 (總頁數: 4, 大小: 199.17 KB)
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2SA1761規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 75mA, 1.5A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 100mA, 2V
功率-最大900mW
頻率-過渡100MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 Long Body
供應商設備包裝TO-92MOD

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 2mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

130MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

420mV @ 400mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

50nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1A, 1V

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 250mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

16 @ 500mA, 2V

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