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2SA854STPR

2SA854STPR

僅供參考

型號 2SA854STPR
PNEDA編號 2SA854STPR
描述 TRANS PNP 32V 0.5A SPT
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,474
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 15 - 四月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SA854STPR資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SA854STPR
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2SA854STPR, 2SA854STPR數據表 (總頁數: 4, 大小: 72.51 KB)
PDF2SA854STPR數據表 封面
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2SA854STPR規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)32V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic600mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce180 @ 100mA, 3V
功率-最大300mW
頻率-過渡200MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱SC-72 Formed Leads
供應商設備包裝SPT

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

200V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 200mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 500mA, 5V

功率-最大

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頻率-過渡

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工作溫度

-55°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

170 @ 500mA, 10V

功率-最大

1W

頻率-過渡

170MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2V @ 150mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 500mA, 5V

功率-最大

1W

頻率-過渡

60MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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供應商設備包裝

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當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

55V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

50µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 500mA, 5V

功率-最大

25W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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