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2SA949-Y,ONK-1F(J

2SA949-Y,ONK-1F(J

僅供參考

型號 2SA949-Y,ONK-1F(J
PNEDA編號 2SA949-Y-ONK-1F-J
描述 TRANS PNP 50MA 150V TO226-3
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 2,268
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SA949-Y資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SA949-Y,ONK-1F(J
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2SA949-Y, 2SA949-Y數據表 (總頁數: 4, 大小: 130.14 KB)
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2SA949-Y規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)150V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic800mV @ 1mA, 10A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce70 @ 10mA, 5V
功率-最大800mW
頻率-過渡120MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 Long Body
供應商設備包裝TO-92MOD

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1A, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

160MHz

工作溫度

-55°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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150V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 10A, 50A

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 20A, 4V

功率-最大

250W

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當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

-

頻率-過渡

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-

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 40mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

20µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 2A, 3V

功率-最大

1.75W

頻率-過渡

25MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 300mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 500mA, 5V

功率-最大

1W

頻率-過渡

3MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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