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2SB1123S-TD-E

2SB1123S-TD-E

僅供參考

型號 2SB1123S-TD-E
PNEDA編號 2SB1123S-TD-E
描述 TRANS PNP 50V 2A SOT89-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 27,162
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 17 - 三月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SB1123S-TD-E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SB1123S-TD-E
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2SB1123S-TD-E, 2SB1123S-TD-E數據表 (總頁數: 8, 大小: 362.12 KB)
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2SB1123S-TD-E規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic700mV @ 50mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 100mA, 2V
功率-最大500mW
頻率-過渡150MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-243AA
供應商設備包裝PCP

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30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 2mA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

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頻率-過渡

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當前-集電極截止(最大值)

50nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

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