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2SB1215S-TL-E

2SB1215S-TL-E

僅供參考

型號 2SB1215S-TL-E
PNEDA編號 2SB1215S-TL-E
描述 TRANS PNP 100V 3A TP-FA
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 18,636
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 1 - 四月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SB1215S-TL-E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SB1215S-TL-E
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2SB1215S-TL-E, 2SB1215S-TL-E數據表 (總頁數: 7, 大小: 273.28 KB)
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2SB1215S-TL-E規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 150mA, 1.5A
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce140 @ 500mA, 5V
功率-最大1W
頻率-過渡130MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝2-TP-FA

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PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 300mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 1A, 1V

功率-最大

2W

頻率-過渡

160MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

330mW

頻率-過渡

250MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

500V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 600mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 600mA, 5V

功率-最大

100W

頻率-過渡

14MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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10A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 40mA, 10A

當前-集電極截止(最大值)

2mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 5A, 4V

功率-最大

125W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

800mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 2A, 2V

功率-最大

50W

頻率-過渡

12MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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