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2SB1216T-TL-E

2SB1216T-TL-E

僅供參考

型號 2SB1216T-TL-E
PNEDA編號 2SB1216T-TL-E
描述 TRANS PNP 100V 4A TP-FA
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,262
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 5 - 五月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SB1216T-TL-E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SB1216T-TL-E
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2SB1216T-TL-E, 2SB1216T-TL-E數據表 (總頁數: 7, 大小: 502.12 KB)
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2SB1216T-TL-E規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)4A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 200mA, 2A
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 500mA, 5V
功率-最大1W
頻率-過渡130MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝2-TP-FA

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 60mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 500mA, 2V

功率-最大

1.5W

頻率-過渡

120MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-225AA, TO-126-3

供應商設備包裝

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1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 500mA, 5V

功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 8mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

2mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

4000 @ 2A, 4V

功率-最大

2W

頻率-過渡

20MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

450mV @ 100mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

10nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 500mA, 2V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

265MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

15A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

230V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 800mA, 8A

當前-集電極截止(最大值)

5µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 1A, 5V

功率-最大

150W

頻率-過渡

30MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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