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2SB1241TV2R

2SB1241TV2R

僅供參考

型號 2SB1241TV2R
PNEDA編號 2SB1241TV2R
描述 TRANS PNP 80V 1A ATV
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,302
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 19 - 四月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SB1241TV2R資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SB1241TV2R
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2SB1241TV2R, 2SB1241TV2R數據表 (總頁數: 3, 大小: 140.33 KB)
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2SB1241TV2R規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)80V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic400mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce180 @ 100mA, 3V
功率-最大1W
頻率-過渡100MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱3-SIP
供應商設備包裝ATV

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

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30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

750mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 50mA, 10V

功率-最大

1.3W

頻率-過渡

15MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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Surface Mount

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TO-243AA

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1A, 1V

功率-最大

2W

頻率-過渡

60MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

550mV @ 1.25mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

20nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

250 @ 2mA, 5V

功率-最大

330mW

頻率-過渡

250MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

200mW

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工作溫度

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