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2SB1260T100R

2SB1260T100R

僅供參考

型號 2SB1260T100R
PNEDA編號 2SB1260T100R
描述 TRANS PNP 80V 1A SOT-89
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,282
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SB1260T100R資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SB1260T100R
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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2SB1260T100R規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)80V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic400mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce180 @ 100mA, 3V
功率-最大2W
頻率-過渡100MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-243AA
供應商設備包裝MPT3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

400 @ 500mA, 4V

功率-最大

2W

頻率-過渡

30MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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3.5V @ 2A, 16A

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750µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 8A, 2V

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500mV @ 2mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

300mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

750mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 10mA, 10V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

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工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Through Hole

包裝/箱

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