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2SB1302T-TD-E

2SB1302T-TD-E

僅供參考

型號 2SB1302T-TD-E
PNEDA編號 2SB1302T-TD-E
描述 TRANS PNP 20V 5A SOT89-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,230
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SB1302T-TD-E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SB1302T-TD-E
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2SB1302T-TD-E, 2SB1302T-TD-E數據表 (總頁數: 5, 大小: 275.74 KB)
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2SB1302T-TD-E規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)20V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 60mA, 3A
當前-集電極截止(最大值)500nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 500mA, 2V
功率-最大1.3W
頻率-過渡320MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-243AA
供應商設備包裝PCP

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 1mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

2000 @ 1A, 2V

功率-最大

900mW

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

5V @ 100mA, 250mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

3 @ 250mA, 10V

功率-最大

900mW

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 30mA, 300mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

85 @ 150mA, 10V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

140MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

4V @ 20mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

4000 @ 3A, 3V

功率-最大

2W

頻率-過渡

20MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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