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2SB1710TL

2SB1710TL

僅供參考

型號 2SB1710TL
PNEDA編號 2SB1710TL
描述 TRANS PNP 30V 1A TSMT3
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,444
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SB1710TL資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SB1710TL
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
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2SB1710TL規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic350mV @ 25mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce270 @ 100mA, 2V
功率-最大500mW
頻率-過渡320MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-96
供應商設備包裝TSMT3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

5V @ 5A, 15A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

8 @ 10A, 2V

功率-最大

6W

頻率-過渡

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工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 50mA, 10V

功率-最大

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當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

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當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

350mV @ 25mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

10nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 1A, 2V

功率-最大

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