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2SC2235-Y(6MBH1,AF

2SC2235-Y(6MBH1,AF

僅供參考

型號 2SC2235-Y(6MBH1,AF
PNEDA編號 2SC2235-Y-6MBH1-AF
描述 TRANS NPN 800MA 120V TO226-3
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 8,172
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SC2235-Y(6MBH1資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SC2235-Y(6MBH1,AF
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
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2SC2235-Y(6MBH1規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)800mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)120V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 100mA, 5V
功率-最大900mW
頻率-過渡120MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 Long Body
供應商設備包裝TO-92MOD

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10000 @ 100mA, 5V

功率-最大

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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200V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 2mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 30mA, 10V

功率-最大

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